Областной радиоклуб Одесса Понедельник, 19.11.2018, 20:03
Приветствую Вас Гость | RSS
Перевести

Время в Одессе
Меню сайта

Категории раздела
Радиолюбительские новости [653]
Радиолюбительские новости
Клубные новости [84]
Клубные новости
Технические новости [20]
Технические новости
Громадська спілка "Всеукраїнська радіоаматорська ліга" [8]
Громадська спілка "Всеукраїнська радіоаматорська ліга"
В помощь радиолюбителю [3]
Раздел для радиолюбителей начинающих и опытных

Наш опрос
Какие вареники Вы любите больше ?
Всего ответов: 51

Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0

www.dxzone.com
dxzone.com ham radio guide
VHF Aurora :Status
144 MHz Es in EU :Status
70 MHz Es in EU :Status
50 MHz Es in EU :Status
144 MHz Es in NA :Status
From The DXrobot
Today's MUF & Es :Status
From MMMonVHF
Календар свят України. Граматика української мови
Слушать онлайн Энерджи Украина #radiobells_embed
Главная » 2018 » Февраль » 27 » MRFX1K80H: 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V Wideband RF Power LDMOS Transistor
11:34
MRFX1K80H: 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V Wideband RF Power LDMOS Transistor
MRFX1K80H: 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V Wideband RF Power LDMOS Transistor

MRFX1K80H: 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V Wideband RF Power LDMOS Transistor

 

The MRFX1K80H is the first device based on NXP’s new 65 V LDMOS technology that focuses on ease of use. This high ruggedness transistor is designed for use in high VSWR industrial, scientific and medical applications, as well as radio and VHF TV broadcast, sub-GHz aerospace and mobile radio applications. Its unmatched input and output design allows for wide frequency range use from 1.8 to 400 MHz. 

The MRFX1K80H is pin-compatible (same PCB) with its plastic version MRFX1K80N, with MRFE6VP61K25Hand MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V), and with MRF1K50H and MRF1K50N (1500 W @ 50 V). 

For additional information contact NXP Semiconductor.

Features

  • Based on new 65 V LDMOS technology, designed for ease of use
  • Characterized from 30 to 65 V for extended power range
  • Unmatched input and output
  • High breakdown voltage for enhanced reliability and higher efficiency architectures
  • High drain-source avalanche energy absorption capability
  • High ruggedness. Handles 65:1 VSWR.
  • RoHS compliant
  • Lower thermal resistance option in over-molded plastic package: MRFX1K80N
  • Included in our product longevity program with assured supply for a minimum of 15 years after launch

Typical Applications

  • Industrial, scientific, medical (ISM)
    • Laser generation
    • Plasma generation
    • Particle accelerators
    • MRI, RF ablation and skin treatment
    • Industrial heating, welding and drying systems
  • Radio and VHF TV broadcast
  • Aerospace
    • VHF omnidirectional range (VOR)
    • HF communications
    • Weather radar

Key Parametrics

  • Frequency (Min) (MHz)
    1.8
  • Frequency (Max) (MHz)
    400
  • Supply Voltage (Typ) (V)
    65
  • P1dB (Typ) (dBm)
    62.6
  • P1dB (Typ) (W)
    1800
  • Test Signal
    Pulse
  • Power Gain (Typ) (dB) @ f (MHz)
    25.1 @ 230.0
  • Efficiency (Typ) (%)
    75.1
  • Thermal Resistance (Spec) (°C/W)
    0.09
  • Matching
    unmatched
  • Class
    AB
  • Die Technology
    LDMOS

RF Performance Tables

Typical Performance

Frequency
(MHz)
Signal Type VDD
(V)
Pout
(W)
Gps
(dB)
ηD
(%)
27 (1) CW 65 1800 CW 27.8 75.6
64 Pulse (100 µsec, 10% Duty Cycle) 65 1800 Peak 27.1 69.5
81.36 CW 63 1700 CW 24.5 76.3
87.5-108 (2,3) CW 60 1600 CW 23.6 82.5
123/128 Pulse (100 µsec, 10% Duty Cycle) 65 1800 Peak 25.9 69.0
144 CW 65 1800 CW 23.5 78.0
230 (4) Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle) 65 1800 Peak 25.1 75.1
325 Pulse (12 µsec, 10% Duty Cycle) 63 1700 Peak 22.8 64.9

Load Mismatch/Ruggedness

Frequency
(MHz)
Signal Type VSWR Pin
(W)
Test Voltage Result
230 (4) Pulse
(100 µsec, 20% Duty Cycle)
> 65:1 at all Phase Angles 14 W Peak
(3 dB Overdrive)
65 No Device Degradation

1. Data from 27 MHz narrowband reference circuit.
2. Data from 87.5-108 MHz broadband reference circuit.
3. The values shown are the center band performance numbers across the indicated frequency range.
4. Data from 230 MHz narrowband production test fixture.


https://www.nxp.com
Просмотров: 140 | Добавил: radioclubodessa | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
avatar
Вход на сайт

Поиск

:
УКВ ретранслятор ОДЕССА
Одесса 439,000/431,400 (-7,600) субтон 67.0

:
УКВ ретранслятор Сергеевка
Одесса 439,200/431,600 (-7,600) DMR, D-Star, Fusion, P-25

Поиск позывных
QRZCQ.com:
 

Поиск в RU Callbook'e:  
 

Поиск в QRZ Callbook'e:
 

Поиск в базе IK3QAR:
 

Enter your callsign to see if you have an eQSL waiting!

Календарь

Архив записей

.
Интересные сслки
  • U T 2 F W F
  • Всеукраїнська радіоаматорська ліга
  • Радиоклуб Одесса В FACEBOOK
  • QRP Клуб Украины
  • Группа Радиоклуб Одесса в FACEBOOK
  • УКРАЇНСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ ЦЕНТР РАДІОЧАСТОТ
  • Календарь соревнований
  • QRZ.RU Contest Calendar
  • PG7V contestcalendar
  • sk3bg
  • Kenwood TS-590
  • Kenwood TS-480
  • DX Summit
  • DXSCAPE
  • Simon's DX
  • DXWATCH
  • DX FAN
  • DX ZONE
  • Reverse Beacon Network
  • DX ZONE
  • 425 DX Calendar
  • Грозы в реальном времени
  • ADXO by NG3K
  • 432 and Above EME Newsletters by K2UYH
  • DX News
  • Southgate Amateur Radio News
  • DX ZONE
  • DXcoffee
  • DX World
  • OPDX Bulletin
  • The Daily DX
  • Weekly DX Report
  • W1AW Bulletins Archive Propagation
  • SixItalya
  • W1AW Bulletins Archive (DX)
  • QRZ NEWS
  • DARC DX Bulletins
  • SWARL

  • Погода
    Білий каталог веб ресурсів Украина онлайн Site-ok.ua — продвижение сайтов Белый каталог сайтов PopCat.ru Каталог русскоязычных сайтов AddsSites, бесплатная регистрация сайтов.
    Copyright UT0FC © 2018  radioclubodessa@gmail.comUT0FC